кандидат технических наук, доцент
Область научных интересов – гетероструктуры, эпитаксия, самоорганизация, элементная база наноэлектроники и фотоники, перспективные технологические процессы микро- и наноэлектроники
Основные публикации
- Balakirev S.V., Solodovnik M.S., Ageev O.A. Hybrid analytical–Monte Carlo model for In/GaAs(001) droplet epitaxy: Theory and experiment // Physica Status Solidi (B) Basic Research, 2018, V. 255, № 4, p. 1700360.
- Alyabyeva N., Ouvrard A., Lindfors-Vrejoiu I., Kolomiytsev A., Solodovnik M., Ageev O., McGrouther D. Modified cantilevers to probe unambiguously out-of-plane piezoresponse // Physical Review Materials, 2018, V. 2, p. 064402.
- Ageev O.A., Solodovnik M.S., Balakirev S.V., Eremenko M.M., Mikhaylin I.A. Monte Carlo simulation of kinetic effects on GaAs/GaAs(001) MBE growth // Journal of Crystal Growth, 2017, V.457, p. 46-51.
- Ageev O.A., Solodovnik M.S., Balakirev S.V., Eremenko M.M. Kinetic Monte Carlo simulation of GaAs(001) MBE growth considering V/III flux ratio effect // Journal of Vacuum Science and Technologies B, 2016, V.34(4), p. 041804.
- Авилов В.И., Агеев О.А., Коноплев Б.Г., Смирнов В.А., Солодовник М.С., Цуканова О.Г. Исследование фазового состава наноразмерных структур, полученных локальным анодным окислением пленок титана // Физика и техника полупроводников, 2016, Т.50, №5, с. 612-618
- Агеев О.А., Солодовник М.С., Балакирев С.В., Михайлин И.А. Исследование влияния соотношения потоков V/III на процессы субмонослойной эпитаксии GaAs/GaAs(001) методом Монте-Карло // Журнал технической физики, 2016, Т.86, №7, с. 15-21.
- Агеев О.А., Балакирев С.В., Солодовник М.С., Еременко М.М. Влияние взаимодействия в системе Ga-As-O на морфологию поверхности GaAs при молекулярно-лучевой эпитаксии // Физика твердого тела, 2016 Т.58, №5, с. 1011-1018.
- Авилов В.И., Агеев О.А., Смирнов В.А., Солодовник М.С., Цуканова О.Г. Исследование режимов наноразмерного профилирования поверхности эпитаксиальных структур арсенида галлия методом локального анодного окисления // Российские нанотехнологии, 2015, Т.10, №3-4, с. 39-43.
- Агеев О.А., Коноплев Б.Г., Рубашкина М.В., Рукомойкин А.В., Смирнов В.А., Солодовник М.С. Исследование влияния геометрических параметров на модуль Юнга ориентированных нитевидных нанокристаллов GaAs методом атомно-силовой микроскопии // Российские нанотехнологии, 2013, №1-2, Т.8, с. 20-25.
- Ageev O.A., Smirnov V.A., Solodovnik M.S., Rukomoikin A.V., Avilov V.I. A study of the formation modes of nanosized oxide structures of gallium arsenide by local anodic oxidation // Semiconductors, 2012, V.46, №.13 – pp. 1616–1621.
- Ageev O.A., et al. Development of new metamaterials for advanced element base of micro- and nanoelectronics, and microsystem devices. Chapter In: Advanced Materials – Manufacturing, Physics, Mechanics and Applications. Parinov, Ivan A., Chang, Shun-Hsyung, Topolov, Vitaly Yu. (Eds.) // Springer Proceedings in Physics, 2016, № 1, V.175, pp. 563-580.
Читаемые курсы
- Наноэлектроника
- Микро- и нанотехнологии в электронике
- Геометрическое моделирование деталей и сборочных единиц