Сотрудники ИНЭП приняли участие в Европейской конференции по молекулярно-лучевой эпитаксии EuroMBE 2019

С 17 по 20 февраля 2019 в Германии, недалеко от Мюнхена под эгидой одного из ведущих европейских исследовательских институтов – Института твердотельной электроники им. П. Друде (Берлин) – прошла 20-я Европейская конференция по молекулярно-лучевой эпитаксии EuroMBE 2019. Данное мероприятие проводится раз в 2 года на регулярной основе и собирает представителей ведущих мировых научных школ и коллективов, научных и коммерческих организаций в области физики и технологии полупроводниковых наноструктур и устройств на их основе.

C:DCIM101GOPROGOPR1490.GPR

В этом году ИНЭП был представлен сотрудниками каф. НТМСТ Солодовником Максимом и Балакиревым Сергеем, которые выступили с устными и постерными докладами на тему капельной эпитаксии наноструктур А3В5 и перспективам применения данной технологии для создания элементной базы квантовых компьютеров и коммуникаций. Результаты представленных исследований были получены в рамках реализации в ИНЭП масштабного проекта Российского научного фонда № 15-19-10006 «Эпитаксиальные гетероструктуры с регулярными массивами самоорганизующихся наноструктур А3В5» (руководитель Агеев О.А., чл.-корр. РАН, проф., д.т.н.).

C:DCIM101GOPROGOPR1508.GPR


Студенты ИНЭП стали лауреатами стипендии Правительства РФ

Сразу семь студентов ИНЭП стали лауреатами стипендии Правительства РФ по приоритетным направлениям подготовки. За особые успехи в учебной и научной работе стипендиями Правительства отмечены следующие студенты:

  1. Морозова Юлия Викторовна (направление подготовки 28.03.02 «Наноинженерия», 1 курс, каф. НТМСТ);
  2. Черненко Наталия Евгеньевна (направление подготовки 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника», 3 курс, каф. РТЭ);
  3. Панченко Иван Викторович (направление подготовки 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника», 3 курс, каф. РТЭ);
  4. Шандыба Никита Андреевич (направление подготовки 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника», 3 курс, каф. РТЭ);
  5. Попов Владислав Дмитриевич (направление подготовки 11.03.03 «Конструирование и технология электронных средств», 4 курс, каф. КЭС);
  6. Раматулин Азиз Шавкатович (направление подготовки 11.03.03 «Конструирование и технология электронных средств», 4 курс, каф. КЭС);
  7. Резван Алексей Анатольевич (направление подготовки 28.03.01 «Нанотехнологии и микросистемная техника», 4 курс, каф. НТМСТ).

Институт нанотехнологий, электроники и приборостроения ЮФУ с рабочим визитом посетил генеральный директор компании «SPECS TII Rus» Кавабэ Цунетака

f428b3f5-0518-46df-9f47-f8ba28421139

5 марта Институт нанотехнологий, электроники и приборостроения с рабочим визитом посетил генеральный директор компании «SPECS TII Rus» Кавабэ Цунетака. В ходе визита сотрудники компании «SPECS TII Rus» Дмитрий Горностаев и Анна Соболева выступили на научно-практическом семинаре с представлением новейших достижений в области приборостроения для нанотехнологий и разработках компаний «SPECS GMBH» (Германия) и «Tokyo Instruments» (Япония).

2019-3-5 2 2019-3-5 3

После семинара были проведены переговоры между представителями ИНЭП ЮФУ и «SPECS TII Rus» о перспективах дальнейшего сотрудничества, в ходе которых обсуждались вопросы привлечения профессоров из ведущих университетов Японии для чтения лекций в ИНЭП и участия в совместных научно-исследовательских проектах.

0642f141-2a34-4cb4-96ea-8976d0c42185