Публикации

Основные публикации кафедры

Статьи:

Агеев О.А., Ильин О.И., Рубашкина М.В., Смирнов В.А., Федотов А.А., Цуканова О.Г. Определение удельного сопротивления вертикально ориентированных углеродных нанотрубок методами сканирующей зондовой микроскопии. Журнал технической физики. 2015. Т. 85. № 7. С. 100-106.

Агеев О.А., Быков А.В., Коломийцев А.С., Коноплев Б.Г., Рубашкина М.В., Смирнов В.А., Цуканова О.Г. Исследование методов модификации зондов для атомно-силовой микроскопии критических размеров осаждением углеродных нанотрубок Известия высших учебных заведений. Электроника. 2015. Т. 20. № 2. С. 127-136.

Агеев О.А., Достанко А.П., Замбург Е.Г., Коноплев Б.Г., Поляков В.В., Чередниченко Д.И. Влияние процессов в факеле при лазерной абляции на удельное сопротивление и морфологию нанокристаллических пленок ZnO. Физика твердого тела. 2015. Т. 57. № 10. С. 2037-2042.

Агеев О.А., Блинов Ю.Ф., Ильин О.И., Коноплев Б.Г., Рубашкина М.В., Смирнов В.А., Федотов А.А. Исследование резистивного переключения вертикально ориентированной углеродной нанотрубки методами сканирующей зондовой микроскопии. Физика твердого тела. 2015. Т. 57. № 4. С. 807-813.

Ageev O.A., Alyabieva N.I., Konoplev B.G., Smirnov V.A., Tkachuk V.V. Investigation of the Nanodiagnostics Probe Modes for Semiconductor Resistivity Measurements by Atomic Force Microscopy // Advanced Materials Research, 2014, Vol. 894, p. 374-378

Смирнов В.А. Применение зондовой нанолитографии для формирования элементов наноэлектроники методом локального анодного окисления пленки титана // Известия ЮФУ. Технические науки. 2014. №9, с. 15-24.

Avilov V.I., Ageev O.A., Kolomiitsev A.S., Konoplev B.G., Smirnov V.A. The formation and study of the memristors matrix based on titanium oxide by using probe nanotechnologies methods. Semiconductors, 2014, Vol. 48, № 13, pp. 1757–1762.

A. Ageev, A. P. Dostanko, V. N. Dzhuplin, E. G. Zamburg, D. E. Vakulov, Z. E. Vakulov, A. M. Alekseev, D. A. Golosov, S. M. Zavadskii Study of the Effect of Ion[1]Stimulated Deposition Assisted by a Pulsed Laser on the Properties of Zinc Oxide Nanocrystalline Films // Surface Engineering and Applied Electrochemistry, 2014, Vol. 50, No. 5, pp. 371–376.

Oleg A. Ageev, Oleg I. Ilin, Alexey S. Kolomiytsev, Sergey A. Lisitsyn, Vladimir A. Smirnov, Evgeny G. Zamburg Formation of High Aspect Ratio Nanostructures Using Focused Ion Beam Induced Deposition of Carbon // Applied Mechanics and Materials, 2014, Vol. 706, pp. 123–127.

А.В. Быков, А.С. Коломийцев, В.В. Полякова, В.А. Смирнов Профилирование зондов для сканирующей зондовой нанодиагностики методом фокусированных ионных пучков // Известия ЮФУ. Технические науки – 2014. – № 9 (158). – С. 133-140.

А.С. Коломийцев Исследование режимов субмикронного профилирования подложек фокусированным ионным пучком галлия для формирования наноразмерных структур // Известия ЮФУ. Технические науки – 2014. – № 9 (158). – С. 151-158.

Авилов В.И., Агеев О.А., Блинов Ю.Ф., Коноплев Б.Г., Поляков В.В., Смирнов В.А., Цуканова О.Г. Моделирование процесса формирования оксидных наноразмерных структур методом локального анодного окисления поверхности металла // Журнал технической физики, 2015, №6

Авилов В.И., Агеев О.А., Коломийцев А.С., Коноплев Б.Г., Смирнов В.А., Цуканова О.Г. Формирование и исследование матрицы мемристоров на основе оксида титана методами зондовой нанотехнологии // Известия вузов. Электроника. №2 (106), 2014, – С. 50-57

Агеев О.А., Коноплев Б.Г., Поляков В.В., Светличный А.М., Смирнов В.А. Исследование режимов фотонностимулированной зондовой нанолитографии методом локального анодного окисления пленки титана // Нано- и микросистемная техника. – 2008. – №1. – С. 1-3.

Агеев О.А., Коноплев Б.Г., Поляков В.В., Светличный А.М., Смирнов В.А. Зондовая фотонно-стимулированная нанолитография структур на основе пленки титана // Микроэлектроника, Том 36, № 6, 2007. – С. 403-408

Агеев О.А. Термодинамический анализ твердофазных взаимодействий в контактах Ni/SiC //Известия вузов. Электроника. 2005. №2. С. 42 – 48.

Agueev O.A., Avdeev S.P., Svetlichnyi A.M., Konakova R.V., Milenin V.V., Lytvyn P.M., Lytvyn O.S., Okhrimenko O.B., Soloviev S.I., Sudarshan T.S. Surface preparation of 6H-SiC substrates by electron beam annealing // Materials Science Forum, vol. 483-485 (2005), p. 725-728.

S.P. Avdeev, O.A. Agueev, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, O.S. Lytvyn, P.M. Lytvyn, V.V.Milenin, D.A. Sechenov, A.M. Svetlichny, S.I. Soloviev, T.S. Sudarshan Effect of pulse thermal treatments on the Ni(Ti)/n-21R(6H)-SiC contact parameters.// Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2004. V. 7, N 3. P. 272-278.

Блинов Ю.Ф., Серба П.В. Математическое моделирование процессов ионно-лучевого перемешивания. Микроэлектроника, 2000, №1, с. 59-63.

Serba P.V., Blinov Yu.F. Mechanism lattice relaxation the theory of ion beam mixing. Nuclear Instruments and Methods. 2000, v. B160, p. 231-234.

Светличный А.М., Поляков В.В., Варзарев Ю.Н. Формирование пленок диоксида кремния фотохимическим разложением тетраэтоксисилана// Микроэлектроника, 2001, т.30, №1 – С. 21-31.

Drachev R.V., Cherednichenko D.I., Sudarshan T.S. Analysis of in situ off-axis seeding surface preparation condition for SiC PVT growth. Journal of Crystal Growth, 265 (2004), 179-183.

Cherednichenko D., Maximenko S., Soloviev S., Sudarshan T.S. Observation of dislocation in diffused 4H-SiC p-i-n diodes by Electron – beam induced current. J. Appl. Phys., V. 97, 013533 (2005), 1-6.

Монографии:

Polyakov V.V. Development and study of silicon dioxide nanostructured films forming on semiconductor structures surface. In book Advanced nano- and piezoelectric materials and their applications, editor Ivan A. Parinov – Nova Science Publishers, New York, USA, 2014. – P.19-60.

Агеев О.А., Беляев А.Е., Болтовец Н.С., Конакова Р.В., Миленин В.В., Пилипенко В.А. Фазы внедрения в технологии полупроводниковых приборов и СБИС. – Харьков: НТК “Институт монокристаллов”, 2008. – 392 с.

Достанко А.П., Агеев О.А, Светличный А.М. и др. Интенсификация процессов формирования твердотельных структур концентрированными потоками энергии. Минск: Бестпринт, 2005.
Агеев О.А. Проблемы технологии контактов к карбиду кремния. – Таганрог. Изд-во ТРТУ, 2005. – 250 с.

Касимов Ф.Д., Гусейнов Я.Ю., Светличный А.М.,Поляков В.В., Кочеров А.Н. Фотостимулированные процессы окисления карбида кремния. Изд.-во Мутарджим, Баку. 2005. – 84 с.
Сеченов Д.А., Агеев О.А., Светличный А.М., Касимов Ф.Д., Кадымов Г.Г. Газочувствительные датчики на основе карбида кремния. Баку: Изд-во Мутарджим. 2004

Негоденко О.Н. Аналоги негатронов в электронных устройствах. Таганрог. Издательство ТРТУ. 2004. 104 с.

Агеев О.А. Быстрая термообработка некогерентным ИК-излучением контактов к карбиду кремния. Таганрог: Изд-во ТРТУ, 2003. – 128 с.

Патенты

О.А. Агеев, М.В. Рубашкина, В.А. Смирнов, Патент №142375 «Элемент резистивной памяти на основе вертикально ориентированных углеродных нанотрубок», дата выдачи 22.05.2014 г.
Агеев О.А., Вакулов Д.Е., Вакулов З.Е., Замбург Е.Г., Ивонин М.Н., Коноплев Б.Г., Шумов А.В. Газовый сенсор на основе гибридных наноматериалов патент на полезную модель RUS 133312 09.04.2013
Агеев О.А., Коноплев Б.Г., Солодовник М.С., Рукомойкин А.В. Элемент памяти динамического оперативного запоминающего устройства патент на полезную модель RUS 110866 07.07.2011
Агеев О.А., Ильин О.И., Климин В.С., Коломийцев А.С., Коноплев Б.Г., Федотов А.А. способ создания наноструктур на основе нанотрубок
патент на изобретение RUS 2431597 20.01.2010
Агеев О.А., Джуплин В.Н., Коноплев Б.Г., Михайличенко А.В. Чувствительный элемент неохлаждаемого фотоприемника инфракрасного диапазона Патент на полезную модель RUS 87568 18.05.2009