Лаборатория плазменных нанотехнологий

Установка для магнетронного и электронно-лучевого осаждения серии AUTO 500 для научных исследований и разработок

При помощи магнетронного распыления могут быть нанесены пленки практически из всех металлов, сплавов и соединений. Стехиометрический состав пленки, полученной магнетронным распылением, остается неизменным для большинства материалов, в отличии от термического испарения, при котором соединение распадается на отдельные фракции.

Установка, так же, имеет линию подачи кислорода и, следовательно, присутствует возможность нанесения широкого спектра оксидов металлов и полупроводников. Электронный луч с 4 тиглями позволяет напылять сложные структуры в вакууме. Для контроля толщины нанесенных пленок используется кварцевый толщиномер.

Функциональные возможности и технологические параметры:

Возможность объединить несколько источников в связку (в круг), для направленного распыления
Системы магнетронного распыления как на постоянном токе ПТ, так и на токе высокой частоты ВЧ
Системы ПТ и ВЧ травления
Возможность комбинирования систем ПТ, ВЧ, резистивного и электронно-лучевого испарения
Возможность подачи небольшого ВЧ-напряжения на подложку в процессе напыления
Устройство распределения мощности для систем ВЧ и ПТ травления
Реактивное распыление
Водоохлаждаемый, изолированный по ВЧ напряжению подложкодержатель
Автоматическая система управления напуском технологического газа: для одного (одноканальная) или двух (двухканальная) технологических газов
Система автоматического управления технологическим процессом
Система косвенного нагрева подложек

Установка для плазмо-химического осаждения PlasmaLab System 100

Установка предназначена для нанесения различных материалов из плазмы. В частности, poly-Si, Si3N4, Si02. Установка имеет высокую однородность нанесенного покрытия. Присутствует возможность обработки подложек диаметром до 300 мм.

Материалы, которые позволяет наносить данная установка:

Композитные полупроводники – GaAs, GaN, InP, CdHgTe.
Металлы – Cu, Al, W, Ti, Cr и др.
Оксиды – Сапфир, HfO2, SiO2, TiO2, Ta2O5 и др.

Установка плазмохимического осаждения в индуктивно-связанной плазме STE ICPв 47

(ЗАО “Научное и технологическое оборудование”, г. Санкт-Петербург)

Установка представляет собой автоматизированную станцию для проведения процессов плазмохимического осаждения диэлектриков (SiNx, SiO2 и т.п.) в плазме индуктивного разряда. Предусмотрена возможность встраивания в технологический кластер.

Функциональные возможности и технологические параметры:

сверхвысоковакуумное исполнение, безмасляная откачка;
максимальная температура нагрева подложки, не менее 400 оС;
максимальный диаметр подложки, 150 мм;
температура прогрева камеры реактора, не менее 150 оС,
ВЧ мощность, подводимая к индуктивно связанному электроду регулируемая, до 1200 Вт;
максимальная ВЧ мощность, подводимая к плоскому электроду регулируемая, до 600 Вт;
однородность нанесения покрытий (для диаметра 100 мм), не хуже 5 %;
возможность подвода потенциала любой частоты к нагреваемому электроду;
автоматизация техпроцесса и системы откачки;
адаптеры для крепления образцов неправильной формы.

Установка плазмохимического травления в индуктивно-связанной плазме STE ICPe 68

(ЗАО “Научное и технологическое оборудование”, г. Санкт-Петербург)

Установка представляет собой автоматизированные станции для проведения процессов плазмохимического травления в комбинированной плазме емкостного и индуктивного разряда. Установки предназначены как для интенсивных исследований и разработок, так и для мелкосерийного выпуска продукции в составе пилотной производственно-технологической линии. В STE ICPe68 полностью реализованы все современные особенности процессов контролируемого плазмохимического травления полупроводниковых и диэлектрических слоев.

Функциональные возможности и технологические параметры:

сверхвысоковакуумное исполнение, безмасляная откачка;
максимальная температура нагрева подложки, не менее 50 оС;
максимальный диаметр подложки, 150 мм;
температура прогрева камеры реактора, не менее 150 оС,
ВЧ мощность, подводимая к индуктивно связанному электроду регулируемая, до 1200 Вт;
максимальная ВЧ мощность, подводимая к плоскому электроду регулируемая, до 600 Вт;
однородность нанесения покрытий (для диаметра 100 мм), не хуже 5 %;
автоматизация техпроцесса и системы откачки;
адаптеры для крепления образцов неправильной формы;
охлаждение образца.

Установка плазмохимического травления в кислородной плазме

становка для удаления фоторезиста, может удалять как жесткие слои полиимида, та ки мягкое травление фоторезиста. Плазменная технология очистки в данной уставновке заменяет опасные и грязные операции тарвления фоторзистов в химических реактивов, что я вляется эклогически чище, безопаснее и дешевле.

Функциональные возможности и технологические параметры:

Вакуумное исполнение с форвакуумным насосом;
максимальный диаметр подложки 200 мм;
максимальная ВЧ мощность, подводимая к плоскому электроду регулируемая, до 1000 Вт;
однородность травления покрытий на малых скоростях травления, не хуже 5 %;
автоматизация техпроцесса и системы откачки;
вакуумный стол для крепления образцов неправильной формы;
диапазон регулировки температуры подложки от 25 до 250 оС

Установка термического отжига

Установка предназначена для высокотемпературной обработки образцов в управляемой газовой среде, вакууме, кислороде или другой нетоксичной атмосфере. Так же как и модель STE RTA79, данная установка ориентирована как на интенсивные исследования и разработки, так и на мелкосерийный выпуск продукции в составе пилотной производственно-технологической линии.

Функциональные возможности и технологические параметры:

сверхвысоковакуумное исполнение, безмасляная откачка;
водяное охлаждение камеры;
максимальный диаметр подложки, 150 мм;
максимальная температура нагрева подложки, не менее 1100 оС;
продолжительности процесса термообработки до 1 часа при 1000 оС;
скорость нагрева не менее 80 град/сек
автоматизация техпроцесса и системы откачки;
отжиг в контролируемой газовой среде/вакууме;
адаптеры для крепления образцов неправильной формы.

Установка совмещения и экспонирования MJB4

Установка предназначена для совмещения фотошаблона и пластины, а также экспонирования фоторезиста для контактной литографии.

Функциональные возможности и технологические параметры:

разрешение до 0,5 мкм;
система поддержания постоянной мощности или постоянной освещенности образца;
режимы экспонирования: вакуумный, механический и с зазором;
фильтры на i, g, h – линию спектра УФ лампы;
размер обработки:
пластины диаметром до 100 мм
подложки до 10х10 мм
специальные держатели для кусков пластин, А3В5, толстых подложек, гибридных схем и ВЧ;
перемещение по X и Y ± 5 мм, для Z ± 5°;
возможность дополнительного оснащения системой ИК-совмещения до разрешения 0,35 мкм;
набор держателей пластин диаметром 2″, 3″, 4″, и фрагментов пластин.

Участок химии и фотолитографии

Участок включает в себя:

Два специализированных шкафа для работы с хим. реактивами
Шкаф для химико-динамического травления
Центрифуга для нанесения резистов
Центрифуга для сушки образцов
Плитка для сушки резистов
Плитка для сушки образцов
Контур с деионизованной водой (сопротивление 22 МОм)

Печь диффузионная

Печь предназначена для прецизионной термической обработки полупроводниковых пластин.

Функциональные возможности и технологические параметры:

максимальная температура 1150 оС;
максимальная скорость нагрева 100 °C/мин;
скорость охлаждения до 20 °C/мин;
загрузка не менее 40 пластин диаметром 100 мм или 50 пластин диаметром 200 мм, либо 40 подложек 2″ x 2″ или 20 подложек 4″ x 4″;
использование газообразных диффузантов (+ газ-носитель), N2, O2, пары воды, P;
газовые магистрали,
подмешивание паров кислоты в барботер с деионизованной водой;
комплектование персональным компьютером для автоматизированной системы контроля.