Захаров Анатолий Григорьевич

доктор технических наук, профессор-консультант
E-mail: zakharovag@sfedu.ru

E-mail: zakharov82@gmail.com
тел. раб.: 371663

ZaxarovРодился 13.10.1942 г.

Окончил с отличием в 1969 году радиотехнический факультет Таганрогского радиотехнического института (ТРТИ) по специальности конструирование и производство радиоаппаратуры.

Работает в ТРТИ с сентября 1969 года ассистентом, старшим преподавателем, доцентом, профессором кафедры микроэлектроники и технологии больших интегральных схем.

С июля 1992 года работает заведующим кафедрой физики факультета естественно – научного и гуманитарного образования Таганрогского государственного радиотехнического университета. Общий стаж научно-педагогической деятельности составляет 43 года.

С июля 2007 года – профессор кафедры физики факультета естественно – научного и гуманитарного образования Южного федерального университета.

С сентября 2013 года по настоящее время  – профессор-консультант кафедры физики Института нанотехнологий, электроники и приборостроения ИТА ЮФУ.

Кандидат технических наук с 1974 года. Диссертацию защитил 10 октября 1974 г., обучаясь в очной аспирантуре, в специализированном совете ТРТИ на тему «Исследование возможности применения локальных дислокационных областей кремния в микроэлектронике». В мае-июне 1983 года выполнял научную работу на кафедре твердотельной электроники института науки и технологий Манчестерского университета (UMIST) (Англия) под руководством профессора Э. Родерика.

С 1.09.87 г. по 1.09.89 г. был переведен на должность старшего научного сотрудника для завершения докторской диссертации. Доктор технических наук с 1991 г. Ученая степень присуждена по результатам защиты диссертации на тему: «Диагностика глубоких энергетических уровней в полупроводниковых структурах» в специализированном совете Московского института электронной техники 11 декабря 1990 г. Ученое звание доцента присвоено Захарову А.Г. в 1980 году, а в 1992г – ученое звание профессора.

Область научных интересов:

– физика полупроводников с нарушенной структурой кристаллического строения;

– моделирование влияния дефектов, создающих глубокие энергетические уровни, на процессы массопереноса и переноса носителей зарядов в полупроводниках;

– физика низкоразмерных систем.

Полученные гранты:

  1. Грант Госкомитета по высшему образованию РФ в области электроники и радиотехники (1993г.-1994 г.), руководитель.
  2. Грант Госкомитета по высшему образованию РФ в области электроники и радиотехники (1995 г.-1996г.), руководитель.
  3. Научно-техническая программа «Научные исследования высшей школы в области производственных технологий». Раздел «Электроника». (2000 г.), руководитель.
  4. Федерально-целевая программа «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России на 2009-2013 г.г.», гос. контракт № 02.740.11.0122, руководитель темы.

Действительный член Академии инженерных наук РФ, избран 15.06.2000 г.

Является членом редакционной коллегии журнала «Известия высших учебных заведений. Северо-Кавказский регион. Естественные Науки». Кроме того, член двух специализированных диссертационных советов при ЮФУ: D.999.065.02; D.212.208.23.

Руководит аспирантурой по специальности 05.27.01 – «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро – и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах».

При его участии и непосредственном руководстве подготовлено 10 кандидатов и один доктор наук.

Автор более 160 научных работ, в том числе 3-х монографий.

Подготовлены и прочитаны курсы лекций по следующим дисциплинам: «Физика», «Физические основы микроэлектроники», «Физические основы электроники», «Физика твердого тела», «Физико-химические основы микроэлектроники и технологии ЭВС», «Диагностика, прогнозирование, неразрушающий контроль и управление качеством электронной аппаратуры», «Концепции современного естествознания».

Опубликовано свыше 30-ти учебно-методических работ, из них 8 учебных пособий.

Является заслуженным работником высшей школы РФ, удостоверение №74228 от 31 августа 1998 г. Почетный работник Высшего профессионального образования РФ с июля 2007 года.