Информация для абитуриентов, поступающих в 2016 году

Кафедра Конструирования электронных средств (КЭС) была организована в 1955 году, и уже в 1960-61 годах коллективом кафедры был создан первый в стране действующий образец интегральной схемы. Кафедра создавалась как единственная, готовящая специалистов данного профиля на юге России, и до сих пор такой и остается.

В настоящее время на кафедре работают 12 научно-педагогических работников, из которых 5 докторов технических наук и 7 кандидатов технических наук. Шесть сотрудников кафедры являются «молодыми учеными» (кандидаты наук младше 35 лет и доктора наук – до 40 лет). Прекрасный научно-педагогический состав, многолетний опыт работы, наличие лабораторий и научных центров (лаборатория систем автоматизированного проектирования, центр проектирования интегральных схем, научно-образовательный центр «Наноразмерные системы и технологии», научно-образовательный центр «Лазерные технологии») позволяют кафедре выпускать высококвалифицированных специалистов, которые могут работать в ведущих научных организациях и предприятиях России и зарубежных стран.

Студенты кафедры КЭС обучаются по многоуровневой системе подготовки специалистов с получением диплома о высшем образовании:

Бакалавриат – квалификация бакалавр (4 года обучения);

Магистратура – квалификация магистр (2 года обучения после получения диплома бакалавра);

Аспирантура – исследователь, преподаватель-исследователь (4 года обучения после получения диплома магистра, без защита кандидатской диссертации).

Выпускники кафедры являются специалистами широко профиля, обладающие знаниями в области конструирования радиоэлектронной аппаратуры (РЭА), проектирования микросхем и микросистем, технологии микро- и наноэлектроники, микроэлектромеханических систем (МЭМС). Учебная программа включает изучение языков программирования, систем автоматизированного проектирования (САПР), принципов работы компонентов радиоэлектронной аппаратуры, микро- и наноэлектроники, МЭМС.

Буклет о направлениях подготовки кафедры: буклет 1 буклет 2

 

Направление подготовки (Бакалавриат)

Направление 11.03.03 – «Конструирование и технология электронных средств

Профиль подготовки – «Проектирование цифровых электронных схем»

Уровень подготовки – «Прикладной бакалавр»

Прием на очную форму обучения выпускников школ по программе бакалавриата на бюджетной и контрактной основе осуществляется по результатам набранных баллов ЕГЭ или вступительных испытаний, проводимых ЮФУ:

– русский язык (минимальный балл 55);

– математика (минимальный балл 50);

– физика (минимальный балл 50).

Для поступающих на базе СПО и ВО по профилю подготовки третьим вступительным испытанием (вместо физики) является электроника и электротехника (минимальный балл 50).

Контрольные цифры приема на очную форму обучения по программе бакалавриата:

24 места (бюджет) и 1 место (контракт).

Прием документов на очную форму обучения по программе бакалавриата осуществляется с 20 июня по 26 июля 2016 г.

Руководитель направления – д.т.н., проф. Лысенко И.Е.


Направление подготовки (Магистратура)

Направление 11.04.03 – «Конструирование и технология электронных средств»

Магистерская программа – «Проектирование и технология электронно-вычислительных средств» (аннотация программы)

Уровень подготовки – «Магистр»

Прием на очную форму обучения выпускников бакалавриата по программе магистратуры на бюджетной и контрактной основе осуществляется по результатам экзамена по направлению подготовки.

Контрольные цифры приема на очную форму обучения по программе магистратуры:

15 мест (бюджет) и 10 мест (контракт).

Прием документов по программе магистратуры на очную форму обучения осуществляется с 20 июня по 10 августа 2016 г.

Руководитель программы – д.т.н., проф. Малюков С.П.

 

Наши студенты проходят практику и трудоустраиваются на предприятиях как Южного федерального округа, так и России:
– ОАО «Таганрогский научно-исследовательский институт связи»;
– Научно-образовательный центр «Нанотехнологии», г. Таганрог;
– ООО «Центр нанотехнологий», г. Таганрог;
– НПП «Исток», г. Фрязино;
– НПП «Квант», г. Великий Новгород;
– ОАО «Монокристалл», г. Ставрополь;
– НИЦ «Курчатовский институт», г. Москва;
– ОАО «Микрон», г. Зеленоград;
– ОАО «Азовский оптико-механический завод», г. Азов;
– ОАО «НПП космического приборостроения «Квант», г. Ростов-на-Дону;
– ОАО «НКБ вычислительных систем», г. Таганрог;
– ОАО «Таганрогский завод «Прибой»;
– ООО «Завод Кристалл», г. Таганрог и др.

Высокий уровень образования на кафедре обеспечивается:
– квалификацией научно-педагогического состава;
– наличием современной лабораторной базы: для студентов и сотрудников кафедры организован научно-образовательный центр «Лазерные технологии», укомплектованный самыми современными лазерами фирмы LIMO (Германия);
– использованием современных научных достижений и технологий в учебном процессе;
– возможностью участия студентов в научно-исследовательских и опытно-конструкторских работах;
– прохождением студентами производственной практики на предприятиях соответствующего профиля.

По вопросам поступления в институт обращаться в приемную комиссию или на кафедру КЭС.
Заведующий кафедрой КЭС:

д.т.н., профессор Лысенко Игорь Евгеньевич
Тел.: +7(8634)371-603
E-mail: ielysenko@sfedu.ru, avsaenko@sfedu.ru
Группа в VK: vk.com/joinkes

Приемная комиссия ЮФУ в г. Таганроге находится по адресу:
ул. Чехова 22, корпус «А», ауд. А-102
тел. +7(8634)312-032, +7(8634)393-422,
Приемная комиссия ЮФУ:
г. Ростов-на-Дону, Б. Садовая 105/42, к. 107
тел. +7(863)2-370-370

Более подробная информация для поступающих доступна на сайте ИНЭП ЮФУ: http://inep.sfedu.ru/abiturient/ или http://inep.sfedu.ru/abiturient/priem/